Samsung kündigt UFS 4.0 Speicher der nächsten Generation an
Samsung hat gerade eine Vorschau auf seine neuesten Speicherlösungen für Hardware wie Smartphones und Tablets gegeben. Diese neuen Chips sollen Daten bis zu doppelt so schnell wie ihre Vorgänger lesen und übertragen können, während sie nur die Hälfte des Stroms benötigen.
Diese neuen UFS-4.0-kompatiblen Speicherchips sollen die derzeit genutzten internen Speicher für UFS 3.1 deutlich übertrumpfen. Schneller lesen, schreiben und dabei auch noch weniger Strom verbrauchen, dies dürfte bei kommenden Smartphones und Tablets zu noch größeren Geschwindigkeiten führen.
Dazu gehört eine Bandbreite, die bis zu 23,2 Gigabit pro Sekunde (Gb/s) pro Speicherspur betragen kann, also doppelt so viel wie bei UFS 3.1. Diese Geschwindigkeit wird durch hochmodernen V-NAND der 7. Generation mit 176 Schichten ermöglicht, der in Samsung’s Version von UFS 4.0-Speicher mit einem eigenen Controller ausgestattet ist.
Samsung wirbt damit, dass man fortschrittliche sequentielle Lesegeschwindigkeiten von 4.200 MB pro Sekunde (MB/s) ermöglicht, ganz zu schweigen von sequentiellen Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2.800 MB/s.
Diese neuen UFS-Chips sind außerdem stromsparender als je zuvor, mit einer geschätzten sequentiellen Lesegeschwindigkeit von 6 MB/s pro Millilampere (mA), was einer Einsparung von 46 Prozent im Vergleich zu ihren Vorgängern entspricht.
Samsung geht derzeit davon aus, dass dieser UFS 4.0-Speicher der nächsten Generation bis zum dritten Quartal 2022 in Massenproduktion gehen wird. Zu diesem Zeitpunkt werden sie als ausgesprochen dünne und kleine (~11 x 13 x 1 mm) Einzelchips mit einer Kapazität von bis zu 1 TB hergestellt.
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